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产品属性

类型
描述
产品编号：
NSV60600MZ4T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS PNP 60V 6A SOT223

规格书PDF

芯片型号：
NSV60600MZ4T1G
PDF资料下载：
下载资料
原厂全称：
ON Semiconductor
原厂简称：
ONSEMI
页数：
6
文件大小：
142 kb
说明：
60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

深圳市菲悦电子科技有限公司

福田区上步工业区404栋621

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