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IPB180N04S4-H0库存信息

更新时间:2021-12-04 15:20:00
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IPB180N04S4-H0中文资料

功能描述:MOSFET N-Channel 40V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IPB180N04S4-H0 PDF资料

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原厂全称: Infineon Technologies 原厂简称: INFINEON
页数: 9 文件大小: 163 /kb
说明: OptiMOS-T2 Power-Transistor